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簡要描述：SOI 納秒光開關(guān)芯片陣列該產(chǎn)品基于硅基載流子色散效應實現(xiàn)納秒級高速響應的光路切換，實現(xiàn)了多通道光開關(guān)陣列的單片化集成，芯片與多通道光纖和外圍驅(qū)動電路一體化光電封裝，熱電混調(diào)，數(shù)字化驅(qū)動，偏振相關(guān)性小，插入損耗低
產(chǎn)品型號：ZG廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家更新時間：2025-02-17訪 問 量：1428相關(guān)文章
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| 品牌 | 梓冠 |
|---|
SOI芯片式高速光開關(guān)陣列
四川梓冠光電最新研發(fā)SOI芯片式高速光開關(guān)陣列，該產(chǎn)品基于硅基載流子色散效應實現(xiàn)納秒級高速響應的光路切換，實現(xiàn)了多通道光開關(guān)陣列的單片化集成，芯片與多通道光纖和外圍驅(qū)動電路一體化光電封裝，熱電混調(diào)，數(shù)字化驅(qū)動，偏振相關(guān)性小，插入損耗低。
〖性能指標Specifications〗
參數(shù)指標 Parameters
| 單位 Unit | 最小值 Min. | 典型值 Typ.
| 最大值 Max. | 備注 Notes |
波長范圍 Wavelength range
| nm | 1530—1570 nm or 1270nm—1330 nm
| |||
消光比 Extinction ratio
| dB | 19 | 20 | 22 | |
插入損耗 Insertion loss | dB | 1.6 | 1.8 | 2.0 | |
回波損耗 Return loss | dB | 40 | 50 | ||
偏振相關(guān)損耗 PDL | dB | 0.3 | 0.5 | ||
驅(qū)動電壓 drive voltage | V | 0.9 | 1 | 1.2 | @300ns |
驅(qū)動電流 drive current
| mA | 6 | 7 | 9 | @300ns |
芯片級響應時間 Response Time | ns | 30 | 300 | ||
熱調(diào)功耗 Thermal tuning power consumption | mW | 30 | 50 | ||
通道數(shù) number of channels | 8—16或可定制 8—16 or Can be customized | ||||
光功率 Transmission optical power | mW | 80 | |||
工作溫度范圍 Operating temperature range | °C | -20 | 50 | ||
工作濕度范圍 Operating humidity range | % | +65 | |||
芯片尺寸 Chip Dimensions | mm | 20(L)×2.5 (W)×0.5(H) | 或可定制 or can be customized | ||
ZG | 波長 Wavelength | 通道數(shù) Number of channels | 類型 Type |
13=1310nm 15=1550nm | 1=1CH 4=4CH 8=8CH 16=CH XX=other | 1=不帶熱調(diào) 1=Without temperature regulating thermistor 2=帶熱調(diào) 2=With temperature regulating thermistor XX=other |
梓冠光電自成立以來，持續(xù)投入研發(fā)，吸納通信行業(yè)技術(shù)人才，其中博士占比人數(shù)5.7%，本科占比人數(shù)22.8%。公司產(chǎn)品日漸鄒于多元化，不僅擁有行業(yè)水平的光開關(guān)、光衰減器、光纖延遲線、偏振控制、MEMS器件、高速光探測器、硅基高速器件、脈沖光纖激光器、飛秒光纖激光器、半導體激光器及光路保護設備（OXC）等產(chǎn)品，公司還為激光雷達系統(tǒng)、量子通訊系統(tǒng)、激光聚變成像傳輸系統(tǒng)等提供核心的高精端光器件，其中光纖延遲器、光開關(guān)、光衰減器系列為核心技術(shù)的量產(chǎn)產(chǎn)品，產(chǎn)品技術(shù)獲得多項認證，其中發(fā)明6項，外觀，軟著，實用性等共16項
SOI 納秒光開關(guān)芯片陣列
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