當(dāng)前位置：首頁(yè) > 產(chǎn)品中心 > 硅基芯片 > 芯片 > ZG納秒SOI光電探測(cè)器芯片

納秒SOI光電探測(cè)器芯片

簡(jiǎn)要描述：納秒SOI光電探測(cè)器芯片，該產(chǎn)品基于硅基鍺-硅光電探測(cè)器，實(shí)現(xiàn)了多通道光電探測(cè)器的單片化集成，可片上集成光學(xué)混頻器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相關(guān)性小，模擬帶寬大，可提供裸片或光電一體化封裝產(chǎn)品方案。

產(chǎn)品型號(hào)：ZG
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間：2024-12-27
訪問(wèn) 量：1036

產(chǎn)品咨詢聯(lián)系我們

產(chǎn)品分類

Product Category

硅基芯片

芯片

查看全部

相關(guān)文章

詳細(xì)介紹

品牌	梓冠

SOI芯片光電探測(cè)器陣列

SOI芯片式光電探測(cè)器陣列，該產(chǎn)品基于硅基鍺-硅光電探測(cè)器，實(shí)現(xiàn)了多通道光電探測(cè)器的單片化集成，可片上集成光學(xué)混頻器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相關(guān)性小，模擬帶寬大，可提供裸片或光電一體化封裝產(chǎn)品方案。

〖性能指標(biāo)Specifications〗

參數(shù)指標(biāo) Parameters	單位 Unit	最小值 Min.	典型值 Typ.	最大值 Max.	備注 Notes
波長(zhǎng)范圍 Wavelength range	nm	1530—1570 nm or 1270nm—1330 nm
暗電流 Dark current	nA	35		50
3 dB模擬帶寬 3 dB bandwidth	GHz			28
光飽和功率 Optical saturation power	mW	10
響應(yīng)度 Responsibility	A/W	0.8		0.85
90度光學(xué)混頻器損耗 90°mixer loss	dB	6	6.5	6.7
90度光學(xué)混頻器相位失衡度 90°mixer phase unbalance	°	5
通道數(shù) Number of channels		8或可定制 8 or Can be customized
光纖接入損耗 Insertion loss	dB	≤0.5
偏振相關(guān)損耗 PDL	dB	≤0.3
工作溫度范圍 Operating temperature range	°C	-20		50
工作濕度范圍 Operating humidity range	%			+65
芯片尺寸 Chip Dimensions	mm	4(L)×5(W)×0.5(H)

納秒SOI光電探測(cè)器芯片

產(chǎn)品咨詢

留言框

產(chǎn)品：
您的單位：
您的姓名：
聯(lián)系電話：
常用郵箱：
省份：
詳細(xì)地址：
補(bǔ)充說(shuō)明：
驗(yàn)證碼：

請(qǐng)輸入計(jì)算結(jié)果（填寫阿拉伯?dāng)?shù)字），如：三加四=7

上一篇：ZG泵浦合束器多模光纖組合器
下一篇：梓冠7bit 光延時(shí)器芯片

国产精品熟女久久久久久,中文字幕激情视频,亚洲国产一区二区视频,www精品美女久久久tv

納秒SOI光電探測(cè)器芯片

留言框

產(chǎn)品：

您的單位：

您的姓名：

聯(lián)系電話：

常用郵箱：

省份：

詳細(xì)地址：

補(bǔ)充說(shuō)明：

驗(yàn)證碼：