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SOI芯片光電探測器集成度高

簡要描述：SOI芯片光電探測器集成度高，該產(chǎn)品基于硅基鍺-硅光電探測器，實現(xiàn)了多通道光電探測器的單片化集成，可片上集成光學混頻器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相關性小，模擬帶寬大，可提供裸片或光電一體化封裝產(chǎn)品方案。

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SOI芯片光電探測器陣列

SOI Chip-based Photodetector Array

SOI芯片式光電探測器陣列，該產(chǎn)品基于硅基鍺-硅光電探測器，實現(xiàn)了多通道光電探測器的單片化集成，可片上集成光學混頻器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相關性小，模擬帶寬大，可提供裸片或光電一體化封裝產(chǎn)品方案。

〖性能指標Specifications

參數(shù)指標 Parameters	單位 Unit	最小值 Min.	典型值 Typ.	最大值 Max.	備注 Notes
波長范圍 Wavelength range	nm	1530—1570 nm or 1270nm—1330 nm
暗電流 Dark current	nA	35		50
3 dB模擬帶寬 3 dB bandwidth	GHz			28
光飽和功率 Optical saturation power	mW	10
響應度 Responsibility	A/W	0.8		0.85
90度光學混頻器損耗 90°mixer loss	dB	6	6.5	6.7
90度光學混頻器相位失衡度 90°mixer phase unbalance	°	5
通道數(shù) Number of channels		8或可定制 8 or Can be customized
光纖接入損耗 Insertion loss	dB	≤0.5
偏振相關損耗 PDL	dB	≤0.3
工作溫度范圍 Operating temperature range	°C	-20		50
工作濕度范圍 Operating humidity range	%			+65
芯片尺寸 Chip Dimensions	mm	4(L)×5(W)×0.5(H)